ezeebill

産総研について ニュース アクセス 調達情報 研究成果検索 採用情報 報道・マスコミの方へ メディアライブラリー お問い合わせ   ENGLISH EN 研究相談・研究データ・ 研究ユニット紹介研究者の方へ プロジェクト相談・ 研究依頼・各種協業相談ビジネスの方へ 産総研ってどんなとこ？ 科学の扉を開こう！一般の方へ 科学の楽しさ、産総研が 取り組んだ製品や事例のご紹介 ENG 研究者 ビジネス 一般 マガジン   研究者の方へ 研究相談・研究データ・ 研究ユニット紹介 ビジネスの方へ プロジェクト相談・ 研究依頼・各種協業相談 一般の方へ 産総研ってどんなとこ？ 科学の扉を開こう！ 科学の楽しさ、産総研が取り組んだ製品や事例のご紹介 産総研について ニュース アクセス 調達情報 研究成果検索 採用情報 報道・マスコミの方へ メディアライブラリー お問い合わせ サイトマップ ご利用条件 プライバシーポリシー 個人情報保護 ホーム > 研究成果検索 > 研究ハイライト 超低消費電力の電圧書込み型不揮発性メモリ「電圧トルクMRAM」の原理を考案し、実証 研究ハイライト 超低消費電力の電圧書込み型不揮発性メモリ「電圧トルクMRAM」の原理を考案し、実証 注目ポイント 産総研は、磁気トンネル接合素子における低消費電力な書き込み手法として期待されている「電圧書込み」について、実用化に必要な書込みエラー率を低減実現する道筋を明らかにしました。 今回、電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書き込みエラー率を低減させる方法を開発いたしました。さらに、実験結果を再現できる計算シミュレーションを用いて、減衰の強さの低減と記録保持性能の向上、あるいは書込み後、エラーが起きたら再度書き込みを行うなどの実行により、低いエラー率を実現できる可能性があることを示しました。 関連リンク プレスリリース：電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書き込みエラー率評価(2015.12.10) プレスリリース：電子スピンの共鳴運動を電圧で制御することに成功(2012.5.1) 産総研TODAY記事：スピンRAMの大容量化を目指す垂直磁化TMR素子(2010.11)[PDF:1.2MB] プレスリリース：スピンRAM（MRAM）の大容量化を可能にする垂直磁化TMR素子(2010.5.13) プレスリリース：スピンRAM（MRAM）の大容量化につながる新構造のTMR素子(2010.1.14) プレスリリース：巨大なTMR（トンネル磁気抵抗）効果の発生メカニズムを実証(2004.11.1) 本研究テーマに関するお問合せ先   スピントロニクス研究センター　電圧スピントロニクスチーム　研究員　塩田 陽一（しおた よういち） 〒305-8568　茨城県つくば市梅園1-1-1　中央第2 電話：029-861-5433（研究センター代表） 産総研について アクセス 調達情報 研究成果検索 採用情報 報道・マスコミの方へ メディアライブラリー お問い合わせ English ニュース お知らせ一覧 研究成果一覧 イベント一覧 受賞一覧 研究者の方へ はじめての方へ 研究成果検索 研究情報データベース お問い合わせ 採用情報 ビジネスの方へ はじめての方へ 研究成果検索 事例紹介 協業・提携のご案内 お問い合わせ AIST Solutions 一般の方へ はじめての方へ イベント情報 スペシャルコンテンツ 採用情報 お問い合わせ 記事検索 産総研マガジンとは 公式SNS @AIST_JP 産総研チャンネル 公式SNS @AIST_JP 産総研 チャンネル サイトマップ このサイトについて プライバシーポリシー 個人情報保護の推進 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Copyright © National Institute of Advanced Industrial Science and Technology （AIST） （Japan Corporate Number 7010005005425）. All rights reserved.