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立命館大学　研究者学術情報データベース English>> TOPページ TOPページ > 名西　やすし （最終更新日 : 2024-01-11 15:51:23） ナニシ　ヤスシ 名西　やすし NANISHI Yasushi 所属 総合科学技術研究機構 職名 上席研究員 業績 その他所属 プロフィール 学歴 職歴 委員会・協会等 所属学会 資格・免許 研究テーマ 研究概要 研究概要（関連画像） 現在の専門分野 研究 著書 論文 その他 学会発表 その他研究活動 講師・講演 受賞学術賞 科学研究費助成事業 競争的資金等(科研費を除く) 共同・受託研究実績 取得特許 研究高度化推進制度 教育 授業科目 教育活動 社会活動 社会における活動 研究交流希望テーマ その他 研究者からのメッセージ ホームページ メールアドレス 科研費研究者番号 researchmap研究者コード 外部研究者ID 学歴 1. 2010/12(学位取得) 工学博士 2. ～1969 名古屋工業大学 工学部 電気工学 卒業 3. ～1971 名古屋大学 工学研究科 電気電子工学 博士前期課程 修了 職歴 1. 2011/04/01 立命館 グローバル・イノベーション研究機構 特別招聘教授 2. 2009/08/01 ～ 2013/08/31 ソウル国立大学 WCU招聘教授 3. 1994/04/01 ～ 2011/03/31 立命館大学 理工学部　電子光情報工学科 教授 4. 1987/04/01 ～ 1994/03/31 日本電信電話公社 光エレクトロニクス研究所 5. 1985/04/01 ～ 1987/03/31 日本電信電話公社 厚木研究所 全件表示（7件） 所属学会 1. 応用物理学会 2. 電気学会 3. 電子情報通信学会 4. 日本結晶成長学会 研究テーマ 1. GaNのエピタキシャル成長と発光デバイスに関する研究 2. フォトニックバンドギャップの物性及びプロセスと新機能光デバイスについての研究 3. プラズマ励起MBE法による原子層レベルでの半導体微細構造の形成と光・電子物性の制御および次世代光・電子融合化デバイス基本技術に関する研究 4. 励起ビームを用いた窒化物半導体分子線エピタキシャル成長についての研究 5. 次世代移動体通信用高周波・高出力電子デバイスについての研究 全件表示（8件） 研究概要 半導体光・電子デバイス、量子化構造物性、プラズマ励起プロセス プラズマ励起MBE法による原子層レベルでの半導体微細構造の形成と光・電子物性の制御および次世代光・電子融合化デバイス基本技術の研究。 現在の専門分野 電子・電気材料工学, 電子デバイス・電子機器 (キーワード：電子デバイス・機器工学, 電子・電気材料工学) 著書 1. 2014/04 Proceedings of SPIE "Gallium Nitride Materials and Devices IX │ (共著)   2. 2013/04 Proceedings of SPIE "Gallium Nitride Materials and Devices VIII │ (共著)   3. 2012/03 Proceedings of SPIE vol.8262 "Gallium Nitride Materials and Devices VII │ (共著)   4. 2011/02 Proceedings of SPIE vol.7939 "Gallium Nitride Materials and Devices VI │ (共著)   5. 2010/07 Proceedings of the IEEE SPECIAL ISSUE vol.98 No.7 "CHALLENGES & OPPORTUNITIES IN GaN AND ZnO DEVICE & MATERIALS │ ,1109-1360 (共著)   全件表示（44件） 論文 1. 2015/11 InN NanoColumns Grown by Molecular Beam Epitaxy and Their Luminescence Properties │ Journal of Crystal Growth │ 430,93-97 (共著)   2. 2015/07 Optical Properties of Ga0.82In0.18N P-N Homojunction Blue-Green Light-Emitting-Diode Grown by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy │ Trans. Mat. Res. Soc. Japan │ 40 (2),149-152 (共著)   3. 2014/12 Pressure Dependence of the Refractive Index in Wurtzite and Rocksalt Indium Nitride │ Appl. Phys. Lett. │ 105 (23),232111/1-5 (共著)   4. 2014/11 Free-Charge Carrier Parameters of N-Type, P-Type and Compensated InN:Mg Determined by　Infrared Spectroscopic Ellipsometry │ Thin Solid Films │ 571,384-388 (共著)   5. 2014/09 Effects of TMSb Overpressure on InSb Surface Morphology for InSb Epitaxial Growth Using Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition │ Journal of Crystal Growth │ 401,518-522 (共著)   全件表示（309件） 学会発表 1. 2016/03/21 AlGaN成長用表面窒化α-(AlGa)2O3基板の極微構造評価と熱的安定性評価 (2016年春季第63回応用物理学会学術講演会) 2. 2016/03/20 C-AFMによるスパイラル成長したGaNの極微領域評価 (2016年春季第63回応用物理学会学術講演会) 3. 2016/03/20 THzエリプソメトリーとホール効果測定によるサファイア基板上n型GaNの電気特性の比較検討 (2016年春季第63回応用物理学会学術講演会) 4. 2016/03/20 THzエリプソメトリーによるGaN膜評価と断面観察による検証 (2016年春季第63回応用物理学会学術講演会) 5. 2015/12/22 Characterization of Ⅲ-Nitride Semiconductors Using Electron-Beam-Induced-Current (EBIC) Measurement (The 10th Joint Workshop on Compound Semiconductors, 2015 SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop) 全件表示（830件） 受賞学術賞 1. 2011/03 第1回化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤崎勇賞) 2. 2005/08 応用物理学会 応用物理学会　解説論文賞 3. 2004/08 結晶成長学会 結晶成長学会　論文賞 科学研究費助成事業 1. 2015/04 ～ 2018/03 非混和性を利用したInN、InGaNの原子レベルの構造制御とデバイス化基盤の構築 │ 基盤研究(B)   2. 2014/04 ～ 2016/03 InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による転位の不活性化 │ 挑戦的萌芽研究   3. 2009 ～ 2013/03 InNおよび関連混晶によるヘテロ・ナノ構造・物性の制御とバンドエンジニアリング │ 基盤研究(A)   4. 2009 ～ 2012/03 MBE成長した窒化インジウム及び関連混晶の構造及び光学的物性評価に関する研究 │ 特別研究員奨励費   5. 2006 ～ 2010 RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成 │ 特定領域研究（計画）   全件表示（9件） 共同・受託研究実績 1. 2010/06 ～ 2011/03 高品質多結晶窒化物半導体の形成技術に関する研究 │ 共同研究 2. 2010/04 ～ 2010/12 窒化物半導体の結晶欠陥解析・改善とデバイス評価 │ 共同研究 取得特許 1. GaIｎN層成膜方法 （3898575） 2. Ｇａ窒化物半導体用基板及びその製造方法、Ｇａ窒化物半 導体及びその製造方法、並びに該Ｇａ窒化物半導体を用いた発光ダイオード （4733904） 3. バイポーラトランジスタの製法 （平4-137805） 4. 化合物半導体結晶の成長方法 （平4-130779） 5. 結晶性薄膜の製造方法 （3421672） 全件表示（29件） 研究高度化推進制度 1. 2014/062015/03 研究支援制度分類：研究推進プログラム種目：科研費連動型InGaNの非混和性を積極的に利用したDERI法による極微ナノ構造と物性の制御 2. 2010/092011/03 研究支援制度分類：研究の国際化推進プログラム種目：研究成果の国際的発信強化InN系窒化物半導体フロンティア領域開拓 3. 2010/042011/03 研究支援制度分類：研究専念教員制度種目：-InN および 関連混晶によるヘテロ・ナノ構造・物性の制御とバンドエンジニアリング 4. 2009/092010/03 研究支援制度分類：研究の国際化推進プログラム種目：研究成果の国際的発信強化InN系窒化物半導体の高度化結晶成長技術開発と電子・光物性制御 5. 2009/042010/03 研究支援制度分類：専門研究員プログラム種目：-RF-MBE法によるその場観察技術を用いた窒化物半導体結晶成長基盤技術の確立 全件表示（15件） 教育活動 ●教育方法の実践例 1. 2006/04 ～ 2011/03 光電子デバイス特論では、講義を英語で行い、最後に日本語で要約 の説明を行った。大学院の国際化、高度化を目的としたものであるが、日本語の要約により落ちこぼれることがないよう配慮した。 2. 1999/04 ～ 2011/03 基礎半導体工学では、現在開発が最も活発に進められている技術開発内容をわかりやすく説明し、基礎学問が応用技術開発と社会の発展にどう結びつくかを理解させ、学習意欲をたかめることに努力した。 研究者からのメッセージ 1. 電子技術と光技術を結びつける革新デバイスの研究戦後約半世紀、半導体エレクトロニクスの発展が原動力となって、今日の情報化社会への飛躍的な発展がなされて来た。21世紀を切り開く、革新デバイスの研究に取り組んで行きたいと考えている。日本における半導体工学研究の草分けの一人である、名古屋大学有住徹彌教授の元で大学院生活を送り、半導体材料研究者としての手解きを受ける。米国ベル研究所でGaAsによる半導体レーザーが初めて室温で連続発振したり、超高速で動作するGaAs電界効果トランジスタがIBM　から発表された翌年の'71年に、当時の電電公社電気通信研究所に入所しGaAsの研究を開始し、以来25年間化合物半導体の研究を続ける。'78年から'80年の2年間は、この分野の世界的権威であるMIT　ゲイトス教授の元で、客員研究員として、GaAs結晶中の原子レベルでの欠陥制御の研究に従事、帰国後は当時最もホットなテーマであったGaAs集積回路開発のプロジェクトの一員として、結晶材料評価の研究を進めた。NTT　として民営化した'85年には、プラズマ状態に励起した原料を利用した新しい分子線エピタキシャル成長技術の提案を行い、この技術の研究を開始した。'94年本学へ。以後青色発光、超高密度光記憶、高周波・高出力デバイス、耐環境デバイスへの応用を目的としたGaNの研究を開始し、現在NEDO地域コンソーシアム総括代表者としてナイトライドプロジェクトを担当している。原子一つ一つの大きさでの構造の制御や、そこから発現する量子力学的な新物性を利用した革新デバイスの開発により、光技術と電子技術の融合化をはかり、新しい時代を切り開いて行きたいと考えている。趣味は、水泳、テニス、音楽鑑賞。 ホームページ 名西・荒木研究室 © Ritsumeikan Univ. 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