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Systems)のパッケージングには、厚膜金属メッキにより形成された封止枠やバンプ電極による、金属同士の接合が用いられている。しかし、厚膜メッキ表面は表面粗さが大きいため、接合においては300 ℃以上の高温でプレスして金属を変形させることにより、接合面での密着を得る必要があった。一方、MEMSにはさまざまな材料でできた微細で繊細な機械可動部があるため、加熱加圧によるデバイスへのダメージが懸念され、低加圧・低温でのパッケージングが求められている。今回、犠牲層薄膜除去プロセスにより、原子レベルで平滑な表面の形状を金属メッキ表面に転写することで、超平滑メッキ表面を実現させた。この超平滑メッキ表面を活性化処理することにより、常温の大気中で強固な接合を形成する技術を開発した。従来の接合プロセスでは真空環境や加熱機構を備えた大規模な接合装置が必要であったが、今回開発した接合技術は、常温の大気中で接合できるため、装置の大幅な簡略化と製造効率の向上が期待できる。 　この成果の詳細は Microelectronic Engineeringのオンライン版に2014年6月21日に掲載された。 従来の接合方法と今回開発した接合方法 開発の社会的背景 　現在、加速度センサーやジャイロセンサー、ディスプレイ用ミラーデバイスなどさまざまなMEMSデバイスが製品化されている。その一方で、MEMSデバイスは微小な機械可動部などの保護やICとの集積化が必要であり、全体のコストに占めるパッケージングコストの割合は非常に高くなっている。MEMSデバイスのパッケージングでは、メッキにより形成された封止枠やバンプ電極によるウエハー同士の接合が用いられ、機械可動部の保護、気密性の確保、電気的な接続が同時になされている。しかし、メッキにより形成された表面は表面粗さが大きいため、300 ℃以上の高温で金属を軟化させながらプレスして、金属の接合面を変形・密着させることが必要となる。このような接合方法では、加熱・冷却工程に時間がかかるためスループットが低下したり、冷却後に熱膨張係数の異なる材料の間で残留熱応力が発生したり、MEMSデバイスの特性が劣化したりするなど、MEMSのパッケージングに応用するにはさまざまな問題があった。今後新たなMEMSデバイスなどの市場拡大を図る上で、ウエハーレベルでの接合による低コストで高い信頼性のパッケージング技術が求められている。 研究の経緯 　産総研は、8インチウエハーによるMEMSの量産製造試作ラインなどを保有し、企業と共同でさまざまなMEMSデバイスの試作開発に取り組んでいる。2013年には、シリコンなどの半導体ウエハーを原子レベルで表面平滑化するプロセスを開発し、信頼性の高い常温接合を実現した（2013年8月28日 産総研プレス発表）。しかし、MEMSのパッケージングでは、デバイスの周囲の封止枠や電極上のバンプなど、厚膜メッキにより形成した金属同士を接合する必要がある。そこで今回、研磨により形成された原子レベルで平滑な表面形状を、メッキ表面に高精度に転写して超平滑なメッキ表面を形成し、常温大気中でMEMSデバイスのパッケージングを行う技術の開発に取り組んだ。 　本研究開発は、総合科学技術会議により制度設計された最先端研究開発支援プログラム（平成21～25年度）により、日本学術振興会を通して助成された研究課題「マイクロシステム融合研究開発（中心研究者：江刺 正喜 東北大学教授）」の中で行われた。 研究の内容 　今回開発したプロセスでは、まず超平滑に研磨されたシリコンウエハーなどの仮基板上に、薄い犠牲層膜を成膜し、その上に厚膜金メッキパターンを形成する（図1(a)）。この金メッキパターンと封止基板上の金薄膜とを熱圧着法により接合する（図1(b)）。その後、薬液に浸して、犠牲層だけを選択的に溶解すると、封止基板には、表面が超平滑な金メッキパターンが転写される（図1(c)）。この超平滑メッキ表面とMEMS基板上の金属薄膜を常温大気中で接合する（図1(d)）。ここで、仮基板上の犠牲層薄膜およびMEMS基板上の金属薄膜は、スパッタ成膜により形成されており非常に薄いため、平滑な表面を維持している。また、熱圧着や常温大気中での接合の直前にアルゴンRFプラズマによる金属表面の活性化処理を行っている。 図1 開発した接合プロセス 　図2は、従来の方法で金メッキされた表面の原子間力顕微鏡像（a）と今回開発したプロセスにより超平滑な仮基板の表面形状を転写した金メッキ表面の原子間力顕微鏡像（b）である。従来の金メッキ表面は数十nmの凹凸があり、表面粗さは16.2 nm rms と粗いのに対して、開発したプロセスによる金メッキ表面は粗さが0.8 nm rmsと非常に平滑であり、超平滑基板の表面の平滑さが金メッキ表面に反映している。（なお、このとき犠牲層として厚さ50 nmのチタン薄膜を用いた。）。 図2 原子間力顕微鏡像 　図3に、従来の金メッキによる粗い表面と、今回開発したプロセスによる超平滑表面を、それぞれ常温大気中、同一条件で接合した際の、接合強度を示す。従来の粗い表面の接合では平均接合強度が30 MPaと非常に弱いのに対して、開発したプロセスによる接合の強度は平均で256 MPaと大きな接合強度が得られた。この接合強度は、200 ℃で熱圧着した場合と同程度である。 図3 常温接合されたサンプルの接合強度（粗いメッキ表面と開発したプロセスとの比較） 　図4は引張試験後の接合界面である。粗いメッキ表面を用いて常温大気中で接合したものは接合面で剥離しているのに対して、開発したプロセスによる超平滑表面を接合したものはシリコンウエハー母材からの破断が確認された。これは接合界面での密着が非常に良好で強い接合であるためである。 図4 引張試験後の接合界面   今後の予定 　今回の実験では封止枠材料に金を用いたが、今後は接合部の金の使用量を低減させるプロセスの開発を計画している。最終的には金を用いない接合技術を開発しパッケージングコストの低減を図る。これらの開発を進めていく中で封止性能の評価や実デバイスへの適用を進め、低温プロセスが要求されるMEMSをはじめとする種々のマイクロデバイス分野に応用を広げる予定である。また、MEMS開発企業との連携によりデバイス応用と低コストで高信頼性のパッケージングを実現させ、MEMS市場の拡大を図る。 用語の説明 ◆犠牲層 後の工程で除去することを前提に形成する層。[参照元へ戻る] ◆MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) LSIなどを製造する半導体製造プロセスを用いて作製された、センサーなどの微小電子機械システム。[参照元へ戻る] ◆パッケージング シリコンウエハー上に作製した微小なデバイスを切断、配線を接続し、保護カバーなどを付けて装置などに組み込んで使用できる状態にすること。[参照元へ戻る] ◆加速度センサー 加速度や重力の方向を計測するセンサー。[参照元へ戻る] ◆ジャイロセンサー 回転運動を計測するセンサー。[参照元へ戻る] ◆ディスプレイ用ミラーデバイス 表示素子の一種として使われ、プロジェクターなどに搭載されている。多数の微小可動ミラーが2次元平面に配列されたデバイスなどが用いられる。[参照元へ戻る] ◆バンプ電極 金属でできている突起形状の電極。[参照元へ戻る] ◆熱膨張係数 温度が1 ℃上昇したときの物体の長さや体積が膨張する割合。[参照元へ戻る] ◆残留熱応力 熱膨張係数の異なる材料を高温下などで接合し冷却すると物体の内部に力が残る。この物体内部に生じる単位面積当たりの内力。[参照元へ戻る] ◆スパッタ成膜 真空中でターゲットにイオン化させた希ガスを衝突させることでターゲット表面の原子をはじき飛ばし、はじき飛ばされたターゲット原子を別の基板上に堆積して成膜するプロセス。[参照元へ戻る] ◆アルゴンRFプラズマ 不活性ガスであるアルゴンに高周波のエネルギーを印加することにより、アルゴンの原子を高エネルギー状態の電子とイオンに分離させた状態。高エネルギーのイオンにより、物質表面に付着した汚染分子などを除去する効果がある。[参照元へ戻る] ◆原子間力顕微鏡 カンチレバーと呼ばれる針で試料表面をなぞることにより、表面形状を原子の大きさ以下という高い分解能で観察できる顕微鏡。[参照元へ戻る] ◆rms 2乗平均平方根（Root Mean Square）。2乗平均平方根粗さは表面粗さの表記の一つで、断面形状曲線に平均線を引き、平均線から測定曲線までの偏差の2乗を平均した値の平方根。この値が大きいほど粗さが大きくなる。[参照元へ戻る] 関連記事ウエハー常温接合のための原子レベル表面平滑化プロセスを開発常温大気中で金属同士を接合する技術 [ PDF：945KB ] お問い合わせお問い合わせフォーム 産総研について アクセス 調達情報 研究成果検索 採用情報 報道・マスコミの方へ メディアライブラリー お問い合わせ English ニュース お知らせ一覧 研究成果一覧 イベント一覧 受賞一覧 研究者の方へ はじめての方へ 研究成果検索 研究情報データベース お問い合わせ 採用情報 ビジネスの方へ はじめての方へ 研究成果検索 事例紹介 協業・提携のご案内 お問い合わせ AIST Solutions 一般の方へ はじめての方へ イベント情報 スペシャルコンテンツ 採用情報 お問い合わせ 記事検索 産総研マガジンとは 公式SNS @AIST_JP 産総研チャンネル 公式SNS @AIST_JP 産総研 チャンネル サイトマップ このサイトについて プライバシーポリシー 個人情報保護の推進 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Copyright © National Institute of Advanced Industrial Science and Technology （AIST） （Japan Corporate Number 7010005005425）. 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