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ENGLISH 佐橋研では、新しい物理原理に基づく「スピンナノエレクトロニクス」の研究に挑戦し、ストレージ・メモリの次代を担う新規なスピンデバイスの創造を目指しています。現在は、佐橋研で生み出したナノメータサイズの特殊な構造を有する酸化物層を用いた研究開発に挑んでいます｡ NEWS / TOPICS 2017/06 反強磁性体スピンの反転に必要な電圧を大幅に低減することに成功し、プレスリリースを行いました。 2015/10 ImPACT研究員の公募は終了しました。 2015/05 当研究室ではImPACT研究員を公募しています。 2015/03 佐橋教授の最終講義が行われました。 2014/07 ホームページをリニューアルしました。 2014/06 佐橋教授が革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)のプログラム・マネージャーに選ばれました。 2014/04 Cr2O3薄膜を用いて、世界で初めて電気磁気効果による交換バイアスの電界制御に成功しました。(APL 104, 152409 (2014)) もっと見る 東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻超微細電子工学講座　交差相関スピン電子工学分野（時限） 〒980-0845　仙台市青葉区荒巻字青葉468-1 東北大学レアメタル・グリーンイノベーション研究開発センター レアメタル総合棟 tel. 022-752-2175（実験室） アクセス 研究テーマ&＃10102; 電気磁気効果に関する研究 MRAMやHDDなどの磁気記録デバイスを現在の磁界や電流での制御する方式から電界で制御する方式に変えることで省エネルギー化を達成することを目指し、Cr2O3薄膜の電気磁気効果の研究を行っています。 研究テーマ&＃10103; BMR効果に関する研究 BMR(Balistic Magneto-resistance)効果とは、1999年にガルシアらによって発見された新しいタイプのMR磁気抵抗効果です。 研究テーマ&＃10104; STTマイクロ波発振デバイスに関する研究 東北大学 東北大学 工学研究科・工学部 東北大学 電気・情報系 © School of Engineering, Tohoku University